Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, SiJA
- RS-varenummer:
- 268-8323
- Producentens varenummer:
- SiJA54ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 90,21
(ekskl. moms)
Kr. 112,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 6.050 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 18,042 | Kr. 90,21 |
| 50 - 95 | Kr. 16,246 | Kr. 81,23 |
| 100 - 245 | Kr. 13,076 | Kr. 65,38 |
| 250 - 995 | Kr. 12,836 | Kr. 64,18 |
| 1000 + | Kr. 8,872 | Kr. 44,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8323
- Producentens varenummer:
- SiJA54ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 126A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8L | |
| Serie | SiJA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0023Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 5.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 126A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8L | ||
Serie SiJA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0023Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 5.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanal TrenchFET generation 4 effekt MOSFET er en bly- og halogenfri enhed. Den har fleksible ledninger, som giver modstandsdygtighed over for mekanisk belastning. Det bruges en applikation som synkron rettelse, DC eller AC omformere.
Optimerer koblingsegenskaber
I overensstemmelse med ROHS
UIS-testet 100 procent
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 126 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, SiJA
- Vishay Type N-Kanal 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L
- Vishay N-kanal-Kanal 126 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 44.4 A 80 V Forbedring SO-8L, SIJ
- Vishay Type N-Kanal 59 A 100 V Forbedring SO-8L, SIJ
- Vishay Type N-Kanal 56.7 A 100 V Forbedring SO-8L, SIJ
- Vishay Type P-Kanal 50 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 27.8 A 100 V Forbedring PowerPAK SO-8, Si7456DDP