Vishay N-Kanal, MOSFET, 56.7 A 100 V Forbedring, 7 Ben, SO-8L, SIJ

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 18.459,00

(ekskl. moms)

Kr. 23.073,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 6.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 6,153Kr. 18.459,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
279-9933
Producentens varenummer:
SIJ4108DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

56.7A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8L

Serie

SIJ

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

0.009Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

69.4W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

40nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.13mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.