Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR870ADP Nej SIR870ADP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 62,11

(ekskl. moms)

Kr. 77,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.745 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,422Kr. 62,11
50 - 120Kr. 11,18Kr. 55,90
125 - 245Kr. 9,926Kr. 49,63
250 - 495Kr. 9,342Kr. 46,71
500 +Kr. 8,696Kr. 43,48

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9355
Producentens varenummer:
SIR870ADP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR870ADP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53.5nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.25mm

Bredde

5.26 mm

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links