Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR870ADP

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 62,11

(ekskl. moms)

Kr. 77,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.745 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,422Kr. 62,11
50 - 120Kr. 11,18Kr. 55,90
125 - 245Kr. 9,926Kr. 49,63
250 - 495Kr. 9,342Kr. 46,71
500 +Kr. 8,696Kr. 43,48

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9355
Producentens varenummer:
SIR870ADP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR870ADP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53.5nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.26 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links