Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR870ADP

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 95,15

(ekskl. moms)

Kr. 118,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.735 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 19,03Kr. 95,15
50 - 120Kr. 17,13Kr. 85,65
125 - 245Kr. 15,20Kr. 76,00
250 - 495Kr. 14,286Kr. 71,43
500 +Kr. 13,314Kr. 66,57

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9355
Producentens varenummer:
SIR870ADP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SiR870ADP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.