Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 178-3895
- Producentens varenummer:
- SiR188DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 99,63
(ekskl. moms)
Kr. 124,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.020 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 9,963 | Kr. 99,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3895
- Producentens varenummer:
- SiR188DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.99mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.07mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.99mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.07mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM
Relaterede links
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 14.4 A 250 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 80.3 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 373 A 60 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 65 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET