Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiR188DP-T1-RE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 71,86

(ekskl. moms)

Kr. 89,82

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.020 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 7,186Kr. 71,86

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3895
Producentens varenummer:
SiR188DP-T1-RE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.07mm

Bredde

5 mm

Længde

5.99mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

Relaterede links