Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 71,86

(ekskl. moms)

Kr. 89,82

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 1.020 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 7,186Kr. 71,86

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3895
Producentens varenummer:
SiR188DP-T1-RE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.07mm

Bredde

5 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.99mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

Relaterede links