Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 10.206,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.756,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,402Kr. 10.206,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-3687
Producentens varenummer:
SiR188DP-T1-RE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5 mm

Længde

5.99mm

Højde

1.07mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

Relaterede links