MPN

Vishay N-Kanal, MOSFET, 80.3 A. 60 V, 8 ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET SiR186LDP-T1-RE3

RS-varenummer:: 228-2897
Producentens varenummer:: SiR186LDP-T1-RE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 80.3 A. 60 V, 8 ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET SiR186LDP-T1-RE3

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 228-2897
Producentens varenummer:: SiR186LDP-T1-RE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks.	80.3 A.
	Drain source spænding maks.	60 V
	Serie	TrenchFET
	Kapslingstype	PowerPAK SO-8
	Monteringstype	Overflademontering
	Benantal	8
	Drain source modstand maks.	0.0044 Ω
	Kanalform	Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port	2.5V
	Transistormateriale	Si
	Antal elementer per chip	2

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. 80.3 A.
	Drain source spænding maks. 60 V
	Serie TrenchFET
	Kapslingstype PowerPAK SO-8
	Monteringstype Overflademontering
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. 0.0044 Ω
	Kanalform Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port 2.5V
	Transistormateriale Si
	Antal elementer per chip 2

Datasheet - SiR186LDP-T1-RE3

Vishay TrenchFET N-kanal er 60 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Vishay N-Kanal, MOSFET, 80.3 A. 60 V, 8 ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET SiR186LDP-T1-RE3

Relaterede links