Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 101 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 735-218
- Producentens varenummer:
- SIR5408DP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Indhold (1 enhed)*
Kr. 7,63
(ekskl. moms)
Kr. 9,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 7,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-218
- Producentens varenummer:
- SIR5408DP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 101A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.004Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 59.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 5.26mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 101A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.004Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 59.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 5.26mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N-kanal MOSFET er bygget til højeffektiv strømkonvertering og styring i krævende elektroniske systemer. Den sikrer robust ydeevne med omfattende test, samtidig med at den opretholder overensstemmelse med miljøstandarder. dens alsidighed gør den velegnet til anvendelser, der kræver pålidelig ensretning, kompakte DC/DC-løsninger og præcis motordrevstyring.
Giver 100 % Rg- og UIS-test for gennemprøvet pålidelighed
Sikrer overholdelse af RoHS for miljøsikkerhed
Leverer halogenfri konstruktion for miljøvenligt design
Understøtter synkron ensretning for effektiv strømkonvertering
Giver mulighed for styring af motordrev med pålidelig skifteydeevne
Relaterede links
- Vishay P-kanal-Kanal -153.2 A -20 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 340 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 126 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 158 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -267 A -20 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -136.7 A -20 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 201.5 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 59 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, TrenchFET