Vishay N-Kanal, MOSFET, 208 A 45 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 904-977
- Producentens varenummer:
- SIR608DP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 15,83
(ekskl. moms)
Kr. 19,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 15,83 |
| 10 - 24 | Kr. 10,32 |
| 25 - 99 | Kr. 6,12 |
| 100 - 499 | Kr. 5,95 |
| 500 + | Kr. 5,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 904-977
- Producentens varenummer:
- SIR608DP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 208A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 45V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0012Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | ROHS | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 208A | ||
Drain source spænding maks. Vds 45V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0012Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50.5nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser ROHS | ||
Bredde 5.15mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay Power MOSFET er designet til effektiv ydeevne i anvendelser med høj effekt og giver pålidelig styring af drain-source spænding og strøm. Det spiller en afgørende rolle for at forbedre energieffektiviteten i elektroniske systemer.
N-kanal-design for optimeret ledningsevne og ydeevne
Maksimal mærkespænding for drain-kilde på 45 V sikrer robust drift
Lav modstand i tændt tilstand forbedrer strømeffektivitet og termisk ydeevne
Integreret med avalanche-klassificering for at beskytte mod overdrevne spændingsspidser