Vishay P-kanal-Kanal, MOSFET, -267 A -20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 735-200
- Producentens varenummer:
- SIR5203DP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 16,31
(ekskl. moms)
Kr. 20,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 16,31 |
| 10 - 24 | Kr. 10,62 |
| 25 - 99 | Kr. 5,46 |
| 100 - 499 | Kr. 5,39 |
| 500 + | Kr. 5,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-200
- Producentens varenummer:
- SIR5203DP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -267A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -20V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0018Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 340nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -267A | ||
Drain source spænding maks. Vds -20V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0018Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 340nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay P-kanal MOSFET 20 V er skræddersyet til effektiv belastningsswitching i kompakte elektroniske designs. Den kombinerer pålidelig ydeevne med miljøvenlig overensstemmelse, hvilket sikrer sikker og bæredygtig drift. Dens lavspændingsevne gør den ideel til moderne forbruger- og bilanvendelser, der kræver pålidelige switche-løsninger.
Sikrer overholdelse af RoHS for miljøsikkerhed
Leverer halogenfri konstruktion for sikrere brug
Tilbyder egnethed til belastningsafbryderanvendelser
Relaterede links
- Vishay P-kanal-Kanal -136.7 A -20 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 201.5 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 101 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 340 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 158 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -153.2 A -20 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 126 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -136.7 A -20 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
