Vishay N-Kanal, MOSFET, 60 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 735-112
- Producentens varenummer:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Indhold (1 enhed, på en tape med 1)*
Kr. 9,50
(ekskl. moms)
Kr. 11,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.994 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 + | Kr. 9,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-112
- Producentens varenummer:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.005Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24.1nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 5.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.005Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24.1nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 5.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Længde 6.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay N-kanal MOSFET er designet til effektiv og pålidelig strømomskiftning i højtydende effektelektronik. Den er fuldt Rg- og UIS-testet for at sikre robusthed under elektrisk belastning og krævende driftsforhold. Optimeret til lave tab og hurtig omskiftning understøtter den kompakte design med høj effekttæthed, samtidig med at den opfylder RoHS-kompatible og halogenfri krav.
Tilbyder 100 procent Rg- og UIS-test for gennemprøvet enhedspålidelighed
Understøtter anvendelser med DC/DC-konvertere med høj effekttæthed
Muliggør effektiv synkron ensretning
I overensstemmelse med RoHS-standarder og halogenfri krav