Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 64 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 735-114
- Producentens varenummer:
- SiRA18BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 3,67
(ekskl. moms)
Kr. 4,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 3,67 |
| 25 - 99 | Kr. 2,39 |
| 100 + | Kr. 1,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-114
- Producentens varenummer:
- SiRA18BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00702Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bredde | 5.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00702Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Længde 6.25mm | ||
Bredde 5.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay N-kanal MOSFET er designet til effektiv og pålidelig strømomskiftning i højtydende effektelektronik. Den er fuldt Rg- og UIS-testet for at sikre robusthed under elektrisk belastning og krævende driftsforhold. Optimeret til lave tab og hurtig omskiftning understøtter den kompakte design med høj effekttæthed, samtidig med at den opfylder RoHS-kompatible og halogenfri krav.
Tilbyder 100 procent Rg- og UIS-test for gennemprøvet enhedspålidelighed
Understøtter anvendelser med DC/DC-konvertere med høj effekttæthed
Muliggør effektiv synkron ensretning
I overensstemmelse med RoHS-standarder og halogenfri krav
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 50 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 60 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 74 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 101 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -153.2 A -20 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 340 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 126 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET