Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 14.4 A 250 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej Si7190ADP-T1-RE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 58,72

(ekskl. moms)

Kr. 73,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 11,744Kr. 58,72
50 - 95Kr. 9,784Kr. 48,92
100 - 495Kr. 7,60Kr. 38,00
500 - 995Kr. 6,658Kr. 33,29
1000 +Kr. 5,984Kr. 29,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3875
Producentens varenummer:
Si7190ADP-T1-RE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

14.4A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

110mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

56.8W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.9nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.99mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.07mm

Bredde

5 mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET

PowerPAK® hus med lav termisk modstand

Relaterede links