Vishay Siliconix N-Kanal, MOSFET, 14.4 A 250 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 178-3665
- Producentens varenummer:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 17.826,00
(ekskl. moms)
Kr. 22.284,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 5,942 | Kr. 17.826,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3665
- Producentens varenummer:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 56.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.99mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.07mm | |
| Bredde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 56.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.99mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.07mm | ||
Bredde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
PowerPAK® hus med lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay Siliconix N-Kanal 14.4 A 250 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix N-Kanal 60 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 146 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 77.4 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 65 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 100 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET