Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 25.989,00

(ekskl. moms)

Kr. 32.487,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 14. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 8,663Kr. 25.989,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-3670
Producentens varenummer:
SiDR392DP-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

900μΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

6 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

125nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.07mm

Længde

5.99mm

Bredde

5 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel

Optimeret Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer switching-relateret tab

Relaterede links