Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SIRA06DP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 36,28

(ekskl. moms)

Kr. 45,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 - 45Kr. 7,256Kr. 36,28
50 - 245Kr. 6,164Kr. 30,82
250 - 495Kr. 5,086Kr. 25,43
500 - 1245Kr. 4,772Kr. 23,86
1250 +Kr. 4,488Kr. 22,44

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9373
Producentens varenummer:
SIRA06DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.73V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.25mm

Bredde

5.26 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links