Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 45.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.327,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.158,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 17. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 1,109Kr. 3.327,00
6000 +Kr. 1,067Kr. 3.201,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
134-9164
Producentens varenummer:
SIRA88DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45.5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.8nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

25W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.26 mm

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links