Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 45.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SIRA88DP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 29,10

(ekskl. moms)

Kr. 36,375

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 225Kr. 1,164Kr. 29,10
250 - 600Kr. 1,134Kr. 28,35
625 - 1225Kr. 1,107Kr. 27,68
1250 - 2475Kr. 1,077Kr. 26,93
2500 +Kr. 1,053Kr. 26,33

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
134-9696
Producentens varenummer:
SIRA88DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45.5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

25W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.26 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links