Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.3 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2818
- Producentens varenummer:
- Si4056ADY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 4.400,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.500,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 1,76 | Kr. 4.400,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2818
- Producentens varenummer:
- Si4056ADY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 29.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 29.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET Gen IV N-kanal Power MOSFET bruges til belastningsafbryder, kredsløbsbeskyttelse og motorstyring.
Meget lav RDS x QG-tal-of-Merit (FOM)
Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM
Logikniveau gate-drive
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 58 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET