Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.3 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 6.032,50

(ekskl. moms)

Kr. 7.540,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 2,413Kr. 6.032,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
228-2818
Producentens varenummer:
Si4056ADY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.3A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

29.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.2nC

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.75mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET Gen IV N-kanal Power MOSFET bruges til belastningsafbryder, kredsløbsbeskyttelse og motorstyring.

Meget lav RDS x QG-tal-of-Merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Logikniveau gate-drive

Relaterede links