Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.3 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 63,28

(ekskl. moms)

Kr. 79,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 4.820 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,328Kr. 63,28
100 - 240Kr. 5,692Kr. 56,92
250 - 490Kr. 4,675Kr. 46,75
500 - 990Kr. 4,114Kr. 41,14
1000 +Kr. 3,179Kr. 31,79

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2819
Producentens varenummer:
Si4056ADY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.3A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

29.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.2nC

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.75mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET Gen IV N-kanal Power MOSFET bruges til belastningsafbryder, kredsløbsbeskyttelse og motorstyring.

Meget lav RDS x QG-tal-of-Merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Logikniveau gate-drive

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.