Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SIRA00DP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 95,22

(ekskl. moms)

Kr. 119,025

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 45 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 19,044Kr. 95,22
50 - 120Kr. 17,892Kr. 89,46
125 - 245Kr. 16,186Kr. 80,93
250 - 495Kr. 15,244Kr. 76,22
500 +Kr. 14,286Kr. 71,43

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9367
Producentens varenummer:
SIRA00DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.35mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

147nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.25mm

Højde

1.12mm

Bredde

5.26 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links