Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 787-9367
- Producentens varenummer:
- SIRA00DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 101,43
(ekskl. moms)
Kr. 126,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 40 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 20,286 | Kr. 101,43 |
| 50 - 120 | Kr. 19,06 | Kr. 95,30 |
| 125 - 245 | Kr. 17,248 | Kr. 86,24 |
| 250 - 495 | Kr. 16,232 | Kr. 81,16 |
| 500 + | Kr. 15,23 | Kr. 76,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9367
- Producentens varenummer:
- SIRA00DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.35mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 147nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.35mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 147nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 58 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET