Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 76,18

(ekskl. moms)

Kr. 95,225

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 40 enhed(er) afsendes fra 09. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 15,236Kr. 76,18
50 - 120Kr. 14,314Kr. 71,57
125 - 245Kr. 12,95Kr. 64,75
250 - 495Kr. 12,196Kr. 60,98
500 +Kr. 11,43Kr. 57,15

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9367
Producentens varenummer:
SIRA00DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.35mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

147nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links