Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 20.745,00

(ekskl. moms)

Kr. 25.932,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 6,915Kr. 20.745,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4246
Producentens varenummer:
SIRA00DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.35mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

147nC

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.26 mm

Længde

6.25mm

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links