Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 335 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SIRA20BDP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 72,71

(ekskl. moms)

Kr. 90,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 14,542Kr. 72,71
50 - 120Kr. 13,104Kr. 65,52
125 - 245Kr. 10,202Kr. 51,01
250 - 495Kr. 9,036Kr. 45,18
500 +Kr. 8,288Kr. 41,44

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2916
Producentens varenummer:
SIRA20BDP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

335A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.58mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Portkildespænding maks.

16 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

124nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 25 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links