Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 335 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 72,71

(ekskl. moms)

Kr. 90,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.980 enhed(er) afsendes fra 09. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 14,542Kr. 72,71
50 - 120Kr. 13,104Kr. 65,52
125 - 245Kr. 10,202Kr. 51,01
250 - 495Kr. 9,036Kr. 45,18
500 +Kr. 8,288Kr. 41,44

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2916
Producentens varenummer:
SIRA20BDP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

335A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.58mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

124nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 25 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links