Vishay N-Kanal, MOSFET, 335 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2916
- Producentens varenummer:
- SIRA20BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 102,40
(ekskl. moms)
Kr. 128,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 20,48 | Kr. 102,40 |
| 50 - 120 | Kr. 18,46 | Kr. 92,30 |
| 125 - 245 | Kr. 14,362 | Kr. 71,81 |
| 250 - 495 | Kr. 12,73 | Kr. 63,65 |
| 500 + | Kr. 11,684 | Kr. 58,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2916
- Producentens varenummer:
- SIRA20BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 335A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.58mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 124nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 335A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.58mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 124nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal er 25 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 58 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET