Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 335 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 13.980,00

(ekskl. moms)

Kr. 17.460,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,66Kr. 13.980,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
228-2915
Producentens varenummer:
SIRA20BDP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

335A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.58mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16 V

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

124nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 25 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links