Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 44,95

(ekskl. moms)

Kr. 56,19

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.980 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 4,495Kr. 44,95
100 - 490Kr. 4,271Kr. 42,71
500 - 990Kr. 3,822Kr. 38,22
1000 - 2490Kr. 2,783Kr. 27,83
2500 +Kr. 2,521Kr. 25,21

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9389
Producentens varenummer:
SIRA14DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.76V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.4nC

Effektafsættelse maks. Pd

31.2W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.