Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SIRA14DP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 44,21

(ekskl. moms)

Kr. 55,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 4,421Kr. 44,21
100 - 490Kr. 4,189Kr. 41,89
500 - 990Kr. 3,755Kr. 37,55
1000 - 2490Kr. 2,738Kr. 27,38
2500 +Kr. 2,476Kr. 24,76

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9389
Producentens varenummer:
SIRA14DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

31.2W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.4nC

Gennemgangsspænding Vf

0.76V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.26 mm

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links