Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 787-9389
- Producentens varenummer:
- SIRA14DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 51,99
(ekskl. moms)
Kr. 64,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,199 | Kr. 51,99 |
| 100 - 490 | Kr. 4,937 | Kr. 49,37 |
| 500 - 990 | Kr. 4,413 | Kr. 44,13 |
| 1000 - 2490 | Kr. 3,216 | Kr. 32,16 |
| 2500 + | Kr. 2,917 | Kr. 29,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9389
- Producentens varenummer:
- SIRA14DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 31.2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.76V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.12mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 31.2W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.76V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.12mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 58 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET