Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 44,21

(ekskl. moms)

Kr. 55,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 4,421Kr. 44,21
100 - 490Kr. 4,189Kr. 41,89
500 - 990Kr. 3,755Kr. 37,55
1000 - 2490Kr. 2,738Kr. 27,38
2500 +Kr. 2,476Kr. 24,76

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9389
Producentens varenummer:
SIRA14DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

31.2W

Gennemgangsspænding Vf

0.76V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.4nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.25mm

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links