Vishay Siliconix N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 178-3934
- Producentens varenummer:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 108,61
(ekskl. moms)
Kr. 135,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.820 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 21,722 | Kr. 108,61 |
| 50 - 95 | Kr. 19,492 | Kr. 97,46 |
| 100 - 495 | Kr. 18,476 | Kr. 92,38 |
| 500 - 995 | Kr. 17,354 | Kr. 86,77 |
| 1000 + | Kr. 15,184 | Kr. 75,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3934
- Producentens varenummer:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 900μΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 125nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | +20V, +6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.07mm | |
| Bredde | 5mm | |
| Længde | 5.99mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 900μΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 125nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. +20V, +6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.07mm | ||
Bredde 5mm | ||
Længde 5.99mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- TW
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel
Optimeret Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer switching-relateret tab
Relaterede links
- Vishay Siliconix N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix N-Kanal 60 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix N-Kanal 14.4 A 250 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix N-Kanal 60 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET