Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiDR392DP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 117,88

(ekskl. moms)

Kr. 147,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.820 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 23,576Kr. 117,88
50 - 95Kr. 21,154Kr. 105,77
100 - 495Kr. 20,032Kr. 100,16
500 - 995Kr. 18,834Kr. 94,17
1000 +Kr. 16,486Kr. 82,43

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3934
Producentens varenummer:
SiDR392DP-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

900μΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

6 V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

125nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.07mm

Bredde

5 mm

Længde

5.99mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
TW
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel

Optimeret Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer switching-relateret tab

Relaterede links