Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 29,14

(ekskl. moms)

Kr. 36,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 14,57Kr. 29,14

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
134-9727
Producentens varenummer:
SIR680DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

69.5nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.26 mm

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links