Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 29,14

(ekskl. moms)

Kr. 36,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.990 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 14,57Kr. 29,14

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
134-9727
Producentens varenummer:
SIR680DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

69.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.26 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.25mm

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links