Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 70.6 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiR880BDP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 83,48

(ekskl. moms)

Kr. 104,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.560 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 8,348Kr. 83,48
100 - 240Kr. 7,854Kr. 78,54
250 - 490Kr. 7,099Kr. 70,99
500 - 990Kr. 6,68Kr. 66,80
1000 +Kr. 6,268Kr. 62,68

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2914
Producentens varenummer:
SiR880BDP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

70.6A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

71.4W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

43.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 80 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links