Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 70.6 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2913
- Producentens varenummer:
- SiR880BDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 228-2913
- Producentens varenummer:
- SiR880BDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 43.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71.4W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 43.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71.4W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal er 80 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 70.6 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 71.9 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 146 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 46 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 65 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 77.4 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET