Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 70.6 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 11.121,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.902,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,707Kr. 11.121,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
228-2913
Producentens varenummer:
SiR880BDP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

70.6A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

43.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

71.4W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 80 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links