Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 71.9 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiR681DP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 116,46

(ekskl. moms)

Kr. 145,575

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.940 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 23,292Kr. 116,46
50 - 120Kr. 19,822Kr. 99,11
125 - 245Kr. 18,64Kr. 93,20
250 - 495Kr. 17,504Kr. 87,52
500 +Kr. 15,17Kr. 75,85

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2910
Producentens varenummer:
SiR681DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

71.9A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

69.4nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET P-kanal er 80 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links