Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 71.9 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2910
- Producentens varenummer:
- SiR681DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 122,07
(ekskl. moms)
Kr. 152,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.935 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 24,414 | Kr. 122,07 |
| 50 - 120 | Kr. 20,764 | Kr. 103,82 |
| 125 - 245 | Kr. 19,538 | Kr. 97,69 |
| 250 - 495 | Kr. 18,326 | Kr. 91,63 |
| 500 + | Kr. 15,888 | Kr. 79,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2910
- Producentens varenummer:
- SiR681DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 71.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 69.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 71.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 69.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET P-kanal er 80 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 71.9 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 46 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 65 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 23.5 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 70.6 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET