Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 71.9 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiR681DP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 116,46

(ekskl. moms)

Kr. 145,575

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.940 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 23,292Kr. 116,46
50 - 120Kr. 19,822Kr. 99,11
125 - 245Kr. 18,64Kr. 93,20
250 - 495Kr. 17,504Kr. 87,52
500 +Kr. 15,17Kr. 75,85

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2910
Producentens varenummer:
SiR681DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

71.9A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

69.4nC

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET P-kanal er 80 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links