Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 23.133,00

(ekskl. moms)

Kr. 28.917,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 7,711Kr. 23.133,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
134-9161
Producentens varenummer:
SIR680DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

69.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.26 mm

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links