Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 373 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8SW, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 735-219
- Producentens varenummer:
- SIRS4600EPW-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 37,79
(ekskl. moms)
Kr. 47,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 37,79 |
| 10 - 49 | Kr. 23,44 |
| 50 - 99 | Kr. 18,11 |
| 100 + | Kr. 12,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-219
- Producentens varenummer:
- SIRS4600EPW-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 373A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8SW | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0013Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 108nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.95mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Bredde | 5.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 373A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8SW | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0013Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 108nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.95mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Bredde 5.1 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 373 A 60 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 467 A 40 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 46 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 51.4 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 71.9 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 65 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
