Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR870ADP
- RS-varenummer:
- 919-4242
- Producentens varenummer:
- SIR870ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 22.323,00
(ekskl. moms)
Kr. 27.903,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 27. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 7,441 | Kr. 22.323,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-4242
- Producentens varenummer:
- SIR870ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiR870ADP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.26 mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiR870ADP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.26 mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring SO-8, SiR870ADP Nej SIR870ADP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, Si7164DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, Si7164DP Nej SI7164DP-T1-GE3
- Vishay 4 Dual N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, SI9634DY Nej SI9634DY-T1-GE3
- Vishay Type N MOSFET 8 Ben, SO-8 Nej SI4534DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 39.3 A 60 V Forbedring SO-8, SiJ462ADP Nej
- Vishay Type N-Kanal 39.3 A 60 V Forbedring SO-8, SiJ462ADP Nej SiJ462ADP-T1-GE3
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej