Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR870ADP

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 22.323,00

(ekskl. moms)

Kr. 27.903,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 7,441Kr. 22.323,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4242
Producentens varenummer:
SIR870ADP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR870ADP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.26 mm

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links