Vishay N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR870ADP
- RS-varenummer:
- 919-4242
- Producentens varenummer:
- SIR870ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 22.323,00
(ekskl. moms)
Kr. 27.903,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 7,441 | Kr. 22.323,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-4242
- Producentens varenummer:
- SIR870ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | SiR870ADP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.26mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie SiR870ADP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.26mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 60 A 100 V Forbedring SO-8, SiR870ADP
- Vishay Dual N-Kanal 7.9 A 60 V Forbedring SO-8, SI9945CDY
- Vishay N-Kanal 60 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N MOSFET 8 Ben, SO-8
- Vishay 4 Dual N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, SI9634DY
- Vishay N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, Si7164DP
- Vishay N-Kanal 39.3 A 60 V Forbedring SO-8, SiJ462ADP
- Vishay N-Kanal 478 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS