Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 39.3 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SiJ462ADP

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 13.035,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.293,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,345Kr. 13.035,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7214
Producentens varenummer:
SiJ462ADP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

39.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiJ462ADP

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

7.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

22.3W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.25mm

Bredde

1.14 mm

Længde

5.25mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har et meget lavt QG og Qoss reducerer effekttab og forbedrer effektiviteten. De fleksible ledninger giver modstandsdygtighed over for mekanisk belastning.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links