Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 39.3 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SiJ462ADP Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 13.035,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.293,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,345Kr. 13.035,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7214
Producentens varenummer:
SiJ462ADP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

39.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiJ462ADP

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

7.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

22.3W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.25mm

Højde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.14 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har et meget lavt QG og Qoss reducerer effekttab og forbedrer effektiviteten. De fleksible ledninger giver modstandsdygtighed over for mekanisk belastning.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links