Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 39.3 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SiJ462ADP Nej SiJ462ADP-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 145,06

(ekskl. moms)

Kr. 181,32

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.960 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 7,253Kr. 145,06

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7215
Producentens varenummer:
SiJ462ADP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

39.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiJ462ADP

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

7.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

22.3W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.25mm

Længde

5.25mm

Bredde

1.14 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har et meget lavt QG og Qoss reducerer effekttab og forbedrer effektiviteten. De fleksible ledninger giver modstandsdygtighed over for mekanisk belastning.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links