Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 39.3 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SiJ462ADP
- RS-varenummer:
- 204-7215
- Producentens varenummer:
- SiJ462ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 198,74
(ekskl. moms)
Kr. 248,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 20. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 9,937 | Kr. 198,74 |
| 100 - 180 | Kr. 7,948 | Kr. 158,96 |
| 200 - 480 | Kr. 7,454 | Kr. 149,08 |
| 500 - 980 | Kr. 6,957 | Kr. 139,14 |
| 1000 + | Kr. 6,459 | Kr. 129,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7215
- Producentens varenummer:
- SiJ462ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 39.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SiJ462ADP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 22.3W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.25mm | |
| Højde | 6.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 39.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SiJ462ADP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 22.3W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.25mm | ||
Højde 6.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har et meget lavt QG og Qoss reducerer effekttab og forbedrer effektiviteten. De fleksible ledninger giver modstandsdygtighed over for mekanisk belastning.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 39.3 A 60 V Forbedring SO-8, SiJ462ADP
- Vishay Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, Si7164DP
- Vishay Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring SO-8, SiR870ADP
- Vishay 4 Dual N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, SI9634DY
- Vishay Type N MOSFET 8 Ben, SO-8
- Vishay Dobbelt N-kanal-Kanal 7.9 A 60 V Forbedring SO-8, SI9945CDY
- Vishay Type N-Kanal 60 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L