Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 27 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR416DP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 83,48

(ekskl. moms)

Kr. 104,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 8,348Kr. 83,48
100 - 240Kr. 7,861Kr. 78,61
250 - 490Kr. 7,099Kr. 70,99
500 - 990Kr. 6,68Kr. 66,80
1000 +Kr. 6,268Kr. 62,68

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
814-1272
Producentens varenummer:
SIR416DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

27A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR416DP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

59nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

69W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.7V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.25mm

Bredde

5.26 mm

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links