Vishay N-Kanal, MOSFET, 27 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR416DP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 81,53

(ekskl. moms)

Kr. 101,91

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 8,153Kr. 81,53
100 - 240Kr. 7,674Kr. 76,74
250 - 490Kr. 6,926Kr. 69,26
500 - 990Kr. 6,515Kr. 65,15
1000 +Kr. 6,111Kr. 61,11

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
814-1272
Producentens varenummer:
SIR416DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

27A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR416DP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

59nC

Effektafsættelse maks. Pd

69W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.7V

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Bredde

5.26mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.25mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.