Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SIRS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 49,89

(ekskl. moms)

Kr. 62,362

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.990 enhed(er) afsendes fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 48Kr. 24,945Kr. 49,89
50 - 98Kr. 22,965Kr. 45,93
100 - 248Kr. 20,345Kr. 40,69
250 - 998Kr. 20,01Kr. 40,02
1000 +Kr. 19,60Kr. 39,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9963
Producentens varenummer:
SIRS4302DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

478A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

SIRS

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00057Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

230nC

Effektafsættelse maks. Pd

208W

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links