Vishay N-Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- RS-varenummer:
- 279-9963
- Producentens varenummer:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 56,70
(ekskl. moms)
Kr. 70,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 28,35 | Kr. 56,70 |
| 50 - 98 | Kr. 26,105 | Kr. 52,21 |
| 100 - 248 | Kr. 23,075 | Kr. 46,15 |
| 250 - 998 | Kr. 22,74 | Kr. 45,48 |
| 1000 + | Kr. 22,29 | Kr. 44,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9963
- Producentens varenummer:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 478A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | SIRS | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00057Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 230nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 208W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 478A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie SIRS | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00057Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 230nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 208W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIRS seriens MOSFET, 30 V maksimal drain-kildespænding, 478 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIRS4302DP-T1-GE3
Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-enhed, der er designet til højstrømskifte i industriel elektronik. Den fungerer som en forstærkningstransistor til kontrolleret ledning i DC-effekttrin og omformertopologier og giver forhøjet temperaturtolerance til krævende driftsforhold.
Egenskaber og fordele:
• 478 A kontinuerlig afløbsstrøm til anvendelser med høj belastning • 0,00057 Ω lav Rds(on) for at minimere ledningstab • 30 V drain-source mærkeværdi til lavspændingssystemer • 230 nC typisk gate-ladning for forudsigelig skifteadfærd • 208 W effekttab til håndtering af betydelige termiske belastninger • 150 °C maksimal samletemperatur til brug ved høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til DC-DC-konvertere i strømfordelingsenheder • Ideel til motordrevfaser i industriel automatisering • Anvendes til synkron ensretning med høj strømstyrke i PSU-design • Velegnet til strømkobling i batteristyringssystemer • Kan bruges til belastningsswitching i server- og telekommunikationsstrømrack
Hvilken monteringstype kræver den, og hvor mange ben er til stede?
Den leveres i en SO-8-pakke til overflademontering med en 8-benet konfiguration til printmontering.
I hvilket omgivelsestemperaturområde kan den fungere pålideligt?
Enheden understøtter drift fra -55 °C op til den specificerede maksimale samlingstemperatur på 150 °C.
Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?
Gate-source-spænding må ikke overstige ±20 V for at undgå gate-oxidbelastning.
Er denne enhed i overensstemmelse med miljømæssige restriktioner for farlige stoffer?
Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-kravene for begrænsede materialer.