Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 55.9 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 75,40

(ekskl. moms)

Kr. 94,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 28. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 15,08Kr. 75,40
50 - 95Kr. 14,452Kr. 72,26
100 - 245Kr. 12,836Kr. 64,18
250 - 995Kr. 12,582Kr. 62,91
1000 +Kr. 12,328Kr. 61,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9942
Producentens varenummer:
SIR5108DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55.9A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SiR

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0105Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5.15mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links