Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 73 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR Nej SIR184LDP-T1-RE3
- RS-varenummer:
- 268-8331
- Producentens varenummer:
- SIR184LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 70,31
(ekskl. moms)
Kr. 87,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,062 | Kr. 70,31 |
| 50 - 95 | Kr. 12,582 | Kr. 62,91 |
| 100 - 245 | Kr. 9,858 | Kr. 49,29 |
| 250 - 995 | Kr. 9,604 | Kr. 48,02 |
| 1000 + | Kr. 6,358 | Kr. 31,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8331
- Producentens varenummer:
- SIR184LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 73A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0058Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 5.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 73A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0058Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 5.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanal TrenchFET generation 4 effekt MOSFET er en bly- og halogenfri enhed. Den bruges i anvendelser som f.eks. synkron ensretning, motordrevskontakt, batteri- og belastningskontakt.
Meget lavt tal for fortjeneste
I overensstemmelse med ROHS
UIS-testet 100 procent
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 73 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR Nej SIR184LDP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 100 A 80 V PowerPAK SO-8, SiR SiR584DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 116 A 80 V PowerPAK SO-8, SiR SiR582DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 52.1 A 60 V PowerPAK SO-8, SiR Nej SiR4602LDP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 59.5 A 80 V PowerPAK SO-8, SiR Nej SiR588DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 78.4 A 80 V PowerPAK SO-8, SiR Nej SiR586DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 26.8 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR Nej SIR5710DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 33.8 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR Nej SIR5708DP-T1-RE3