Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 42.6 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 66,42

(ekskl. moms)

Kr. 83,024

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 6.000 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 56Kr. 16,605Kr. 66,42
60 - 96Kr. 15,465Kr. 61,86
100 - 236Kr. 13,708Kr. 54,83
240 - 996Kr. 13,465Kr. 53,86
1000 +Kr. 13,203Kr. 52,81

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9946
Producentens varenummer:
SIR5112DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

42.6A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0149Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Effektafsættelse maks. Pd

56.8W

Portkildespænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5.15mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links