Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 47.6 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 71,06

(ekskl. moms)

Kr. 88,824

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 28. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 56Kr. 17,765Kr. 71,06
60 - 96Kr. 17,39Kr. 69,56
100 - 236Kr. 15,465Kr. 61,86
240 - 996Kr. 15,148Kr. 60,59
1000 +Kr. 14,83Kr. 59,32

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9944
Producentens varenummer:
SIR5110DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

47.6A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SiR

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0125Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

59.5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.15mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links