Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 47.6 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 71,06

(ekskl. moms)

Kr. 88,824

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 56Kr. 17,765Kr. 71,06
60 - 96Kr. 17,39Kr. 69,56
100 - 236Kr. 15,465Kr. 61,86
240 - 996Kr. 15,148Kr. 60,59
1000 +Kr. 14,83Kr. 59,32

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9944
Producentens varenummer:
SIR5110DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

47.6A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0125Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Effektafsættelse maks. Pd

59.5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.15mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links