Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 66.8 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 61,49

(ekskl. moms)

Kr. 76,86

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,298Kr. 61,49
50 - 95Kr. 10,606Kr. 53,03
100 - 245Kr. 9,44Kr. 47,20
250 - 995Kr. 9,246Kr. 46,23
1000 +Kr. 9,096Kr. 45,48

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9956
Producentens varenummer:
SIR5808DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

66.8A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00735Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.15mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links