Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 37.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR
- RS-varenummer:
- 279-9952
- Producentens varenummer:
- SIR5623DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 16.158,00
(ekskl. moms)
Kr. 20.196,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 5,386 | Kr. 16.158,00 |
*Vejledende pris
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
(Leveres i pakke af 4)
Kr. 75,55
(ekskl. moms)
Kr. 94,44
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 279-9952
- Producentens varenummer:
- SIR5623DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 37.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SiR | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.024Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 59.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 37.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SiR | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.024Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 59.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en P-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
Ny generation af effekt-MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Ultra lav RDS x Qg FOM produkt
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 37.1 A 60 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type P-Kanal 60.6 A 40 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type P-Kanal 90.9 A 60 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay N-Kanal 334 A 60 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay N-Kanal 47.6 A 100 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay N-Kanal 42.6 A 100 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay N-Kanal 66.8 A 80 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay N-Kanal 440 A 40 V Forbedring SO-8, SIRS