Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 47.6 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 17.973,00

(ekskl. moms)

Kr. 22.467,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 5,991Kr. 17.973,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
279-9943
Producentens varenummer:
SIR5110DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

47.6A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0125Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

59.5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5.15mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links