Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 23 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR418DP Nej SIR418DP-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 814-1275
- Producentens varenummer:
- SIR418DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 80,34
(ekskl. moms)
Kr. 100,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,034 | Kr. 80,34 |
| 100 - 240 | Kr. 7,57 | Kr. 75,70 |
| 250 - 490 | Kr. 6,829 | Kr. 68,29 |
| 500 - 990 | Kr. 6,567 | Kr. 65,67 |
| 1000 + | Kr. 6,418 | Kr. 64,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 814-1275
- Producentens varenummer:
- SIR418DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiR418DP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.71V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bredde | 5.26 mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiR418DP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.71V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.25mm | ||
Bredde 5.26 mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 23 A 40 V Forbedring SO-8, SiR418DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 81.2 A 40 V Forbedring SO-8, SiRA74DP Nej SiRA74DP-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 198 A 40 V Forbedring SO-8, SIRS Nej SIRS4401DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 27 A 40 V Forbedring SO-8, SiR416DP Nej SIR416DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SIRA06DP-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 7.2 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SI4447ADY-T1-GE3
- Vishay 4 Dual N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, SI9634DY Nej SI9634DY-T1-GE3
- Vishay Type N MOSFET 8 Ben, SO-8 Nej SI4534DY-T1-GE3