Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 56.7 A 100 V Forbedring, 7 Ben, SO-8L, SIJ

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 56,032

(ekskl. moms)

Kr. 70,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 02. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 56Kr. 14,008Kr. 56,03
60 - 96Kr. 13,353Kr. 53,41
100 - 236Kr. 11,913Kr. 47,65
240 - 996Kr. 11,688Kr. 46,75
1000 +Kr. 11,483Kr. 45,93

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9934
Producentens varenummer:
SIJ4108DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

56.7A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8L

Serie

SIJ

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

0.009Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

40nC

Effektafsættelse maks. Pd

69.4W

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5.13mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links