Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 56.7 A 100 V Forbedring, 7 Ben, SO-8L, SIJ
- RS-varenummer:
- 279-9934
- Producentens varenummer:
- SIJ4108DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 62,832
(ekskl. moms)
Kr. 78,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | Kr. 15,708 | Kr. 62,83 |
| 60 - 96 | Kr. 14,96 | Kr. 59,84 |
| 100 - 236 | Kr. 13,353 | Kr. 53,41 |
| 240 - 996 | Kr. 13,128 | Kr. 52,51 |
| 1000 + | Kr. 12,885 | Kr. 51,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9934
- Producentens varenummer:
- SIJ4108DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8L | |
| Serie | SIJ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.009Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69.4W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 5.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8L | ||
Serie SIJ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.009Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69.4W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 5.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste
100 procent Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 56.7 A 100 V Forbedring SO-8L, SIJ
- Vishay Type N-Kanal 59 A 100 V Forbedring SO-8L, SIJ
- Vishay Type P-Kanal 44.4 A 80 V Forbedring SO-8L, SIJ
- Vishay Type N-Kanal 126 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, SiJA
- Vishay Type N-Kanal 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L
- Vishay Type N-Kanal 5 A 150 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay Type N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring SO-8, SI