Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 44.4 A 80 V Forbedring, 7 Ben, SO-8L, SIJ Nej SIJ4819DP-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 279-9935
- Producentens varenummer:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 21.885,00
(ekskl. moms)
Kr. 27.357,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 7,295 | Kr. 21.885,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9935
- Producentens varenummer:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 44.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | SIJ | |
| Emballagetype | SO-8L | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0207Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 73.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.13mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 44.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie SIJ | ||
Emballagetype SO-8L | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0207Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 73.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.13mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en P-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Mindre spændingsfald
Reducerer ledningstab
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 44.4 A 80 V Forbedring SO-8L, SIJ Nej SIJ4819DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 56.7 A 100 V Forbedring SO-8L, SIJ Nej SIJ4108DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 59 A 100 V Forbedring SO-8L, SIJ Nej SIJ4106DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 59 A 100 V Forbedring SO-8L, SIJ Nej
- Vishay Type N-Kanal 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L Nej SIJ482DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 126 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, SiJA Nej SiJA54ADP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L Nej
- Vishay Type N-Kanal 44.4 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101 SIS4604DN-T1-GE3
