Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 50 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SIR401DP-T1-GE3

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 33,99

(ekskl. moms)

Kr. 42,49

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.635 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 6,798Kr. 33,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9342
Producentens varenummer:
SIR401DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

205nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Portkildespænding maks.

12 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.26 mm

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links