Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 50 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 787-9342
- Producentens varenummer:
- SIR401DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 33,99
(ekskl. moms)
Kr. 42,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.595 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 6,798 | Kr. 33,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9342
- Producentens varenummer:
- SIR401DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -12V, +12V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 205nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bredde | 5.26mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -12V, +12V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 205nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Bredde 5.26mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 50 A 20 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 29 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 7.2 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 19.7 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 36 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 14.9 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 50 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 18.3 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV