Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 14.9 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
180-7295
Producentens varenummer:
SI4825DDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

14.9A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

20.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Portkildespænding maks.

25 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

3.2W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.75mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.2 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 25 V. Den har en drænkildemodstand på 12,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 5 W og kontinuerlig drænstrøm på 14,9 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• Belastningsomskifter

• notebook-adapterkontakt

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links