Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 29 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-varenummer:: 180-7996
Producentens varenummer:: SI4459ADY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 29 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 85,95

(ekskl. moms)

Kr. 107,45

(inkl. moms)

Tilføj 30 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

Midlertidigt ikke på lager

1.730 enhed(er) afsendes fra 24. februar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 17,19	Kr. 85,95

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7996
Producentens varenummer:: SI4459ADY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	29A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	7.7mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	129nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	5W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.75mm
	Bredde	6.2 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SO-8
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 7.7mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 129nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 5W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 5mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.75mm
	Bredde 6.2 mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 7,8 W og kontinuerlig drænstrøm på 29 A. Minimum- og maksimumspændingen for denne MOSFET er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• adapterkontakt

• Notebook

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS teste