Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SI4447ADY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 80,48

(ekskl. moms)

Kr. 100,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 3.240 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 4,024Kr. 80,48
200 - 480Kr. 3,381Kr. 67,62
500 - 980Kr. 3,22Kr. 64,40
1000 - 1980Kr. 3,06Kr. 61,20
2000 +Kr. 2,861Kr. 57,22

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7948
Producentens varenummer:
SI4447ADY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7.2A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

62mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.7W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.2 mm

Højde

1.75mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 45 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 4,2 W og kontinuerlig drænstrøm på 7,2 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• adapterkontakt

• Belastningskontakter

• Notebook-pc'er

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

Relaterede links