Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-7948
- Producentens varenummer:
- SI4447ADY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 64,38
(ekskl. moms)
Kr. 80,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 40 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 3.180 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,219 | Kr. 64,38 |
| 200 - 480 | Kr. 2,705 | Kr. 54,10 |
| 500 - 980 | Kr. 2,576 | Kr. 51,52 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,448 | Kr. 48,96 |
| 2000 + | Kr. 2,289 | Kr. 45,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7948
- Producentens varenummer:
- SI4447ADY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 62mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.7W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 62mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.7W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 45 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 4,2 W og kontinuerlig drænstrøm på 7,2 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakt
• Belastningskontakter
• Notebook-pc'er
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• RG-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 7.2 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 19.7 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 29 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 36 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 14.9 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 50 A 20 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 50 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 18.3 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV