MPN

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-varenummer:: 180-7948
Producentens varenummer:: SI4447ADY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 80,48

(ekskl. moms)

Kr. 100,60

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 3.240 enhed(er) afsendes fra 24. februar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 - 180	Kr. 4,024	Kr. 80,48
200 - 480	Kr. 3,381	Kr. 67,62
500 - 980	Kr. 3,22	Kr. 64,40
1000 - 1980	Kr. 3,06	Kr. 61,20
2000 +	Kr. 2,861	Kr. 57,22

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7948
Producentens varenummer:: SI4447ADY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	7.2A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	TrenchFET
	Emballagetype	SO-8
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	62mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	11.8nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	2.7W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.2 mm
	Højde	1.75mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.2A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie TrenchFET
	Emballagetype SO-8
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 62mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.8nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 2.7W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 5mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.2 mm
	Højde 1.75mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 45 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 4,2 W og kontinuerlig drænstrøm på 7,2 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• adapterkontakt

• Belastningskontakter

• Notebook-pc'er

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet